第436章 451 麻木的观众（1 / 2）
第436章 451：麻木的观众
美利坚加利福尼亚州库比蒂诺市。
“这深蓝科技藏得真是够深的啊，没想到他们自己研发出内存，而且性能还如此强悍。”伯尼艾伯斯不敢置信的说道。
现在无论是赫菲斯托斯还是水果自己的手机都已经在生产了。
他们想要用上新的内存那是不可能的了。
不出意外深蓝科技这次又能凭借新技术登顶手机第一了。
不过就在这个时候伯尼艾伯斯忽然皱起眉头来。
“深蓝有没有可能已经在研发自己的CPU了？”伯尼艾伯斯呢喃道。
棒子国。
山星内存业务可是山星十分重要一项业务，如今深蓝科技研发出新品种内存，必定会对山星内存业务造成严重影响。
京畿道城南市盆唐区书岘洞263号三星广场大厦。
“阿西吧，这个该死华国人就是骗子。”李健熙臭骂道。
到了这个时候他怎么可能还猜不到这些内存是中芯国际生产的。
好在今天是星期天股市没有开市，要是股市开始山星股价又要跌了，而且还是跌得十分厉害那种。
与此同时身处华夏的几个内存品牌业务代表也是惊呆了。
要是深蓝科技只是生产普通内存那还好，但是深蓝科技内存比他们的技术还好，不出意外深蓝科技内存肯定卖得比他们便宜。
这样他们的内存还怎么卖？
“法克，当初就不应该听那些吃泡菜的。”泽伦斯拉普臭骂道。
如今这个情况不但让他们丢失一个大客户，还将对方变成一个实力十分强劲的对手。
深市宝立方酒店。
“这曹总藏得还真够深啊。”雷布斯嘴角一抽说道。
在这之前他们已经知道深蓝跟中芯国际合作生产的并不是什么图像芯片。
但是他没想到深蓝科技竟然能够生产出这么牛逼的内存。
“小曹这次干得真漂亮。”任老爷笑呵呵的说道。
现在华夏有了自主生产的内存，再也不用担心内存被卡脖子了，这事对华夏半导体来说，简直就是一件天大的好事。
羊省莞市维沃路1号VIVO总部董事长办公室。
沈韦敲击键盘在华夏安卓联盟聊天群里发了一条信息。
沈韦：“我们和深蓝科技的差距变得越来越大了。”
陈勇明：“虽然我们之间差距越来越大，但是我想曹总应该会把内存卖给我们，否则深蓝科技生产那么多内存怎么卖，他们总不能把内存放在仓库里吧。”
沈韦：“我们马上就要发布的芯片没办法享受新的内存技术了。”
此时直播间的网友们对此事也是议论纷纷。
“卧槽，莽神他把我们所有人都骗了，这内存肯定是中芯国际生产的。”
“莽神这一出手就是大招，别的内存厂不用玩了。”
“这内存性能实在是太变态了，竟然比DDR4性能高4倍，这尼玛也太欺负人了。”
“我觉得你们也别高兴太早，虽然曹莽内存厉害，但是也得CPU支持才行，不支持那都是虚的。”
“是啊，CPU不支持那都是虚的。”
“想必不少懂电子产品的朋友已经猜到了，虽然这款内存性能十分强悍，但是CPU却没办法完美将它性能发挥出来，不过就算没办法完美将它性能发挥出来。
这款内存也能够将英特尔的这款CPU发挥到极致。
运行内存的事情就说到这里，我继续为大家介绍深蓝2手机。
深蓝2S采用的存储内存，同样是深蓝自主研发的KOS内存，相信大家应该都知道，目前为止市场上的存储内存有3种。
第一种内存就是eMMc内存，eMMCebedded MutiMedia Card是由 MMC协会针对手机平板制定的闪存标准，起源时间较 UFS与 NVMe还要更早。
eMMc基础上由 MMC储存卡发展而来，采用「并行传输」技术制成，读写必须分开执行，虽然仅提供单路读写功能，但仍具备体积小、高度集成与低复杂度的优势。
这种内存是三种内存里面最落后的，早期手机使用的内存都是这种内存，读取速度一般都在200左右，这个速度相对比机械硬盘已经快很多。
用在手机上没有什么太大的问题。
但是在这个科技极致的时代，eMMc可以说十分落后。
第二种内存就是USF内存，UFSUniversa Fash Ste最早由 JEDEC于 2011年推出，采用「串行传输」技术，可同时进行读写操作。
第一代 UFS由于与当时 eMMC标准速度差异不大，且成本较为高昂，因此并未成功普及，直至 2014年 UFS 2.0标准问世后，连续读取速度约达 800MBs，。
相对比eMMc内存这种内存性能还是十分强悍的。
不过目前还没人将这种内存用在手机上面。
第三种内存就是NVMe内存，VMeNVM Express原先是用在 MacBook上的 SSD固态硬盘的闪存标准，具备高效率、低负载、低延时的特性。
2015年，苹果首次在 iPhone 6p上使用 NVMe闪存，当时的连续读取速度约为 500MBs。
由于早期 Android手机大多使用的是 eMMC 5.1标准，因此在连续读取速度方面，iPhone一骑绝尘，这也是iPhone用着不卡，一部手机可以用 35年的最大原因。
另外能使用 NVMe闪存，跟水果A9芯片开始用PCIE接口有关，后续水果家的 WiFi、基带都使用 PCIE接口，自己家的芯片接口自己定义，其他厂商真的学不来。
深蓝科技所研发的KOS内存比以上三种内存性能都要强悍。
KOS内存连续读取速度可以达到5000MB，连续写入速度更是可以达到3500MB。
读取时间只需要25微秒，编程时间只需要150微秒，写入速度只需要800微秒，4KB持续随机读高达740000 IOPS，4KB持续随机写560000 IOPS，读写周期可以达到20万次左右，它的寿命是SLC颗粒内存的一倍。
KOS内存无论是用在电脑上又或者手机上，相信都可以给大家带来飞一般的感受。”曹莽介绍道。
无论是直播间观众还是现场观众都被这款芯片性能给惊呆了。
“每秒钟5000M的读取速度？”
“这种内存读取速度太牛逼了，读取一个4G容量文件，只需要一秒就完成了。”